合肥四氟化碳-譜純氣體|老牌企業-四氟化碳廠商：

四氟化碳在不同的大氣壓下呈現的狀態是不同的，就像氧氣在101kPa時會呈現出液態。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體，發揮性較高.在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比)，然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產生有毒氟化物。四氟化碳在900℃時，不與銅、鎳、鎢、鉬反應，僅在碳弧溫度下緩慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015％（重量比），然而與可燃性氣體燃燒時，會分解產生有毒氟化物。

對于硅和二氧化硅體系，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，通過調節兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現的狀態是不同的，就像氧氣在101kPa時會呈現出液態。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體，發揮性較高.預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內通入氟氣，氟氣先和單質硅反應。

四氟化碳的溶氧性很好，因此被科學家用于超深度潛水實驗代替普通壓縮空氣。目前已在老鼠身上獲得成功，在275米到366米的深度內，小白鼠仍可安全脫險。隨著芯片制程向7納米邁進，細微雜質對芯片的損害更為明顯，電子產業對高純電子氣體的純度要求進一步提高，在此背景下，我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。是微電子工業中用量大的等離子蝕刻氣體，高純氣高純氧的混合氣，可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻，在電子器件表面清洗、太陽能電池生產、激光技術、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。

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